K4RAH165VB-BCQK vs K4RHE165VB-BCWM مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4RAH165VB-BCQK بواسطة Samsung Electronics و K4RHE165VB-BCWM بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4RAH165VB-BCQK | K4RHE165VB-BCWM |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 16 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| معدل البيانات | 4800 Mbps | 5600 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| Error Correction | On-die ECC | — |
| الميزات | Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +85C | 0 C to +85 C |
| العلبة | 106-ball FBGA | 106 FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | DRAM (volatile) | — |
| Packaging | Tray | — |
| حالة دورة الحياة | Active | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Unit Price | [DATA_NEEDED: unit price] | — |
| Density | — | 24 Gb |
| التنظيم | — | 1G x 16 |
| جهد التغذية | — | 1.1 V |
| Product Status | — | Mass Production |
| الواجهة | — | Parallel, DDR5 |
| Generation | — | DDR5 |
| Application Segment | — | DDR5 memory modules and HPC systems |
| Speed Grade Suffix | — | BCWM |
| tCK (Clock Period) | — | [DATA_NEEDED: clock period] |
| زمن الوصول CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |