K4RAH165VB-BCQK vs K4RHE165VB-BCWM השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4RAH165VB-BCQK מאת Samsung Electronics ו K4RHE165VB-BCWM מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung
K4RAH165VB-BCQK ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | K4RAH165VB-BCQK | K4RHE165VB-BCWM |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| גודל זיכרון | 16 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| קצב נתונים | 4800 Mbps | 5600 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| Error Correction | On-die ECC | — |
| תכונות | Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration | — |
| טמפרטורת פעולה | 0C to +85C | 0 C to +85 C |
| מארז | 106-ball FBGA | 106 FBGA |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | DRAM (volatile) | — |
| Packaging | Tray | — |
| סטטוס מחזור חיים | Active | — |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Unit Price | [DATA_NEEDED: unit price] | — |
| Density | — | 24 Gb |
| ארגון | — | 1G x 16 |
| מתח אספקה | — | 1.1 V |
| Product Status | — | Mass Production |
| ממשק | — | Parallel, DDR5 |
| Generation | — | DDR5 |
| Application Segment | — | DDR5 memory modules and HPC systems |
| Speed Grade Suffix | — | BCWM |
| tCK (Clock Period) | — | [DATA_NEEDED: clock period] |
| השהיית CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |