K4RAH165VB-BCQK vs K4RHE165VB-BCWM Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4RAH165VB-BCQK tarafından Samsung Electronics ve K4RHE165VB-BCWM tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4RHE165VB-BCWM K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RHE165VB-BCWM ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4RAH165VB-BCQK K4RHE165VB-BCWM
Marka Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Bellek Boyutu 16 Gb —
Memory Organization 1G x 16 —
Memory Interface Parallel —
Veri Hızı 4800 Mbps 5600 Mbps
Supply Voltage (VDD) 1.1 V —
Error Correction On-die ECC —
Özellikler Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration —
İşletim Sıcaklığı 0C to +85C 0 C to +85 C
Paket 106-ball FBGA 106 FBGA
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Memory Format DRAM (volatile) —
Packaging Tray —
Yaşam Döngüsü Durumu Active —
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Unit Price [DATA_NEEDED: unit price] —
Density — 24 Gb
Organizasyon — 1G x 16
Besleme Gerilimi — 1.1 V
Product Status — Mass Production
Arayüz — Parallel, DDR5
Generation — DDR5
Application Segment — DDR5 memory modules and HPC systems
Speed Grade Suffix — BCWM
tCK (Clock Period) — [DATA_NEEDED: clock period]
CAS Gecikme — [DATA_NEEDED: CAS latency]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin