NT6AN8T6WBJ1B1 vs NT6AN8T0SA तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना NT6AN8T6WBJ1B1 द्वारा Nanya Technology और NT6AN8T0SA द्वारा Nanya Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | NT6AN8T6WBJ1B1 | NT6AN8T0SA |
|---|---|---|
| ब्रांड | Nanya Technology | Nanya Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | LPDDR2 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 8 Gb (512M x 16) | — |
| डेटा दर | 3200 MT/s | 1066 Mbps (533 MHz) |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | 1.2V |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| CAS लेटेंसी | 22 cycles | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | 4 or 8 |
| पैकेज | 96-ball FBGA | FBGA |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +95C (TC) | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | Yes |
| Bank Groups | 4 groups of 4 banks | — |
| Row Address | 16 bits | — |
| Column Address | 10 bits | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Density | — | 2Gb |
| संगठन | — | 64M x 32 |
| I/O Voltage | — | 1.2V |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -30°C to +85°C |
| माउंटिंग प्रकार | — | Surface Mount |
| Lead-Free | — | Yes |
| Refresh Period | — | 64ms at 85°C |
| DLL | — | Yes |