NT6AN8T6WBJ1B1 vs NT6AN8T0SA مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار NT6AN8T6WBJ1B1 توسط Nanya Technology و NT6AN8T0SA توسط Nanya Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | NT6AN8T6WBJ1B1 | NT6AN8T0SA |
|---|---|---|
| برند | Nanya Technology | Nanya Technology |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | LPDDR2 SDRAM |
| اندازه حافظه | 8 Gb (512M x 16) | — |
| نرخ داده | 3200 MT/s | 1066 Mbps (533 MHz) |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | 1.2V |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| تأخیر CAS | 22 cycles | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | 4 or 8 |
| بسته‌بندی | 96-ball FBGA | FBGA |
| دمای کاری | 0C to +95C (TC) | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | Yes |
| Bank Groups | 4 groups of 4 banks | — |
| Row Address | 16 bits | — |
| Column Address | 10 bits | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Density | — | 2Gb |
| سازمان | — | 64M x 32 |
| I/O Voltage | — | 1.2V |
| محدوده دمای کاری | — | -30°C to +85°C |
| نوع نصب | — | Surface Mount |
| Lead-Free | — | Yes |
| Refresh Period | — | 64ms at 85°C |
| DLL | — | Yes |