NT6AN8T6WBJ1B1 vs NT6AN8T0SA Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng NT6AN8T6WBJ1B1 sa pamamagitan ng Nanya Technology at NT6AN8T0SA sa pamamagitan ng Nanya Technology. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | NT6AN8T6WBJ1B1 | NT6AN8T0SA |
|---|---|---|
| Brand | Nanya Technology | Nanya Technology |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Uri ng Memory | DDR4 SDRAM | LPDDR2 SDRAM |
| Laki ng Memory | 8 Gb (512M x 16) | — |
| Rate ng Data | 3200 MT/s | 1066 Mbps (533 MHz) |
| Volte ng Pagbibigay | 1.2 V | 1.2V |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Latensya ng CAS | 22 cycles | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | 4 or 8 |
| Packhaging | 96-ball FBGA | FBGA |
| Temperature na Operasyon | 0C to +95C (TC) | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | Yes |
| Bank Groups | 4 groups of 4 banks | — |
| Row Address | 16 bits | — |
| Column Address | 10 bits | — |
| Tindminan RoHS | Compliant | Compliant |
| Density | — | 2Gb |
| Organisasyon | — | 64M x 32 |
| I/O Voltage | — | 1.2V |
| Hanay ng Temperature na Operasyon | — | -30°C to +85°C |
| Uri ng Pagpapasok | — | Surface Mount |
| Lead-Free | — | Yes |
| Refresh Period | — | 64ms at 85°C |
| DLL | — | Yes |