NT6AN8T6WBJ1B1 vs NT6AN8T0SA مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ NT6AN8T6WBJ1B1 بواسطة Nanya Technology و NT6AN8T0SA بواسطة Nanya Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | NT6AN8T6WBJ1B1 | NT6AN8T0SA |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Nanya Technology | Nanya Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | LPDDR2 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 8 Gb (512M x 16) | — |
| معدل البيانات | 3200 MT/s | 1066 Mbps (533 MHz) |
| جهد التغذية | 1.2 V | 1.2V |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| زمن الوصول CAS | 22 cycles | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | 4 or 8 |
| العلبة | 96-ball FBGA | FBGA |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +95C (TC) | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | Yes |
| Bank Groups | 4 groups of 4 banks | — |
| Row Address | 16 bits | — |
| Column Address | 10 bits | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Density | — | 2Gb |
| التنظيم | — | 64M x 32 |
| I/O Voltage | — | 1.2V |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -30°C to +85°C |
| نوع التركيب | — | Surface Mount |
| Lead-Free | — | Yes |
| Refresh Period | — | 64ms at 85°C |
| DLL | — | Yes |