NT6AN8T6WBJ1B1 vs NT6AN8T0SA Pengandingan
Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci NT6AN8T6WBJ1B1 disebabkan oleh Nanya Technology dan NT6AN8T0SA disebabkan oleh Nanya Technology. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.
Pengandingan Spesifikasi
| Parametr | NT6AN8T6WBJ1B1 | NT6AN8T0SA |
|---|---|---|
| Merek | Nanya Technology | Nanya Technology |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Status Lingkungan Hidup | Aktif | Aktif |
| Jenis Ingatan | DDR4 SDRAM | LPDDR2 SDRAM |
| Saiz Ingatan | 8 Gb (512M x 16) | — |
| Kadar Data | 3200 MT/s | 1066 Mbps (533 MHz) |
| Tegangan Pemberi Arus | 1.2 V | 1.2V |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Latensi CAS | 22 cycles | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | 4 or 8 |
| Kemasan | 96-ball FBGA | FBGA |
| Suhu Operasi | 0C to +95C (TC) | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | Yes |
| Bank Groups | 4 groups of 4 banks | — |
| Row Address | 16 bits | — |
| Column Address | 10 bits | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Density | — | 2Gb |
| Organisasi | — | 64M x 32 |
| I/O Voltage | — | 1.2V |
| Gambaran Suhu Operasi | — | -30°C to +85°C |
| Jenis Pemasangan | — | Surface Mount |
| Lead-Free | — | Yes |
| Refresh Period | — | 64ms at 85°C |
| DLL | — | Yes |