1ED3124MC12HXUMA1 vs 1EDN7146UXTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 1ED3124MC12HXUMA1 tarafından Infineon ve 1EDN7146UXTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 1ED3124MC12HXUMA1 1EDN7146UXTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Channel Type Single-channel —
Configuration High-side / Low-side (non-inverting) —
Number of Drivers 1 —
Çıkış Sayısı 1 —
Peak Source Current 13.5 A —
Peak Sink Current 14 A —
Isolation Technology Magnetic coupling (coreless transformer) —
Isolation Voltage (RMS) 5.7 kV —
Transient Overvoltage 8000 Vpk —
Supply Voltage (VCC2) 10.5 V to 35 V —
Supply Current (Max) 1.1 mA —
Propagation Delay (Typ) 90 ns —
Artış Süresi 15 ns [DATA_NEEDED: typical rise time ns]
Düşüş Süresi 30 ns [DATA_NEEDED: typical fall time ns]
İşletim Sıcaklığı -40 C to +125 C —
Paket PG-DSO-8 (DSO-8) PG-VSON-1 (6-pin with exposed pad)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Protections UVLO, Short-Circuit (DESAT) —
Target Devices IGBT, SiC MOSFET —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Driver Type — Single-channel high-side TDI gate driver
Maximum Blocking Voltage — 200 V
Input Configuration — Truly differential (TDI)
Output Current (Source / Sink) — 1.5 A / 2.5 A
Propagation Delay — [DATA_NEEDED: typical propagation delay ns]
Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range V]
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -40C to +125C
Target Transistor — GaN SG HEMT or power MOSFET
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Topology Support — Half-bridge, low-side, high-side

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin