1ED3124MC12HXUMA1 vs 1EDN7146UXTSA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار 1ED3124MC12HXUMA1 توسط Infineon و 1EDN7146UXTSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بستهبندی، وضعیت چرخه عمر، قیمتگذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | 1ED3124MC12HXUMA1 | 1EDN7146UXTSA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دستهبندی | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Channel Type | Single-channel | — |
| Configuration | High-side / Low-side (non-inverting) | — |
| Number of Drivers | 1 | — |
| تعداد خروجیها | 1 | — |
| Peak Source Current | 13.5 A | — |
| Peak Sink Current | 14 A | — |
| Isolation Technology | Magnetic coupling (coreless transformer) | — |
| Isolation Voltage (RMS) | 5.7 kV | — |
| Transient Overvoltage | 8000 Vpk | — |
| Supply Voltage (VCC2) | 10.5 V to 35 V | — |
| Supply Current (Max) | 1.1 mA | — |
| Propagation Delay (Typ) | 90 ns | — |
| زمان صعود | 15 ns | [DATA_NEEDED: typical rise time ns] |
| زمان افت | 30 ns | [DATA_NEEDED: typical fall time ns] |
| دمای کاری | -40 C to +125 C | — |
| بستهبندی | PG-DSO-8 (DSO-8) | PG-VSON-1 (6-pin with exposed pad) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Protections | UVLO, Short-Circuit (DESAT) | — |
| Target Devices | IGBT, SiC MOSFET | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Driver Type | — | Single-channel high-side TDI gate driver |
| Maximum Blocking Voltage | — | 200 V |
| Input Configuration | — | Truly differential (TDI) |
| Output Current (Source / Sink) | — | 1.5 A / 2.5 A |
| Propagation Delay | — | [DATA_NEEDED: typical propagation delay ns] |
| Supply Voltage (VCC) | — | [DATA_NEEDED: VCC range V] |
| محدوده دمای کاری | — | -40C to +125C |
| Target Transistor | — | GaN SG HEMT or power MOSFET |
| سطح MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Topology Support | — | Half-bridge, low-side, high-side |