1ED3124MC12HXUMA1 vs 1EDN7146UXTSA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 1ED3124MC12HXUMA1 מאת Infineon ו 1EDN7146UXTSA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
1ED3124MC12HXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3124MC12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3124MC12HXUMA1 ✓ פעיל
Infineon
1EDN7146UXTSA1 1EDN7146UXTSA1 - 200V High-Side GaN Gate Driver | Infineon

1EDN7146UXTSA1 - 200V High-Side GaN Gate Driver | Infineon

1EDN7146UXTSA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר 1ED3124MC12HXUMA1 1EDN7146UXTSA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Channel Type Single-channel —
Configuration High-side / Low-side (non-inverting) —
Number of Drivers 1 —
מספר יציאות 1 —
Peak Source Current 13.5 A —
Peak Sink Current 14 A —
Isolation Technology Magnetic coupling (coreless transformer) —
Isolation Voltage (RMS) 5.7 kV —
Transient Overvoltage 8000 Vpk —
Supply Voltage (VCC2) 10.5 V to 35 V —
Supply Current (Max) 1.1 mA —
Propagation Delay (Typ) 90 ns —
זמן עלייה 15 ns [DATA_NEEDED: typical rise time ns]
זמן ירידה 30 ns [DATA_NEEDED: typical fall time ns]
טמפרטורת פעולה -40 C to +125 C —
מארז PG-DSO-8 (DSO-8) PG-VSON-1 (6-pin with exposed pad)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Protections UVLO, Short-Circuit (DESAT) —
Target Devices IGBT, SiC MOSFET —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Driver Type — Single-channel high-side TDI gate driver
Maximum Blocking Voltage — 200 V
Input Configuration — Truly differential (TDI)
Output Current (Source / Sink) — 1.5 A / 2.5 A
Propagation Delay — [DATA_NEEDED: typical propagation delay ns]
Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range V]
טווח טמפרטורת פעולה — -40C to +125C
Target Transistor — GaN SG HEMT or power MOSFET
רמת MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Topology Support — Half-bridge, low-side, high-side

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר