H5AN8G6NDJR vs IS43QR16512B-062AABL Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma H5AN8G6NDJR tarafından SK hynix ve IS43QR16512B-062AABL tarafından ISSI, Integrated Silicon Solution IncAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43QR16512B-062AABL - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ISSI
IS43QR16512B-062AABL ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | H5AN8G6NDJR | IS43QR16512B-062AABL |
|---|---|---|
| Marka | SK hynix | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organizasyon | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Veri Hızı | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 MT/s |
| Besleme Gerilimi | 1.2 V | 1.2 V |
| Paket | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) | 96-TWBGA (7.5x13.5 mm) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | 1.26 V | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| CAS Gecikme | 22 cycles (at 3200 Mbps) | 22-22-22 |
| Access Mode | Multi Bank Page Burst | — |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B96 | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Özellikler | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling | — |
| Bellek Boyutu | — | 8 Gbit |
| tRCD | — | 19 ns |
| İşletim Sıcaklığı | — | 0°C to +95°C (case) |
| Montaj Türü | — | Surface Mount |
| Pin Sayısı | — | 96 |
| Arayüz | — | POD (Pseudo Open Drain) |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| Veri Bus Genişliği | — | 16 bit |