H5AN8G6NDJR vs IS43QR16512B-062AABL השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של H5AN8G6NDJR מאת SK hynix ו IS43QR16512B-062AABL מאת ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43QR16512B-062AABL - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ISSI
IS43QR16512B-062AABL ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | H5AN8G6NDJR | IS43QR16512B-062AABL |
|---|---|---|
| מותג | SK hynix | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| ארגון | 512M x 16 | 512M x 16 |
| קצב נתונים | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 MT/s |
| מתח אספקה | 1.2 V | 1.2 V |
| מארז | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) | 96-TWBGA (7.5x13.5 mm) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | 1.26 V | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| השהיית CAS | 22 cycles (at 3200 Mbps) | 22-22-22 |
| Access Mode | Multi Bank Page Burst | — |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B96 | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| תכונות | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling | — |
| גודל זיכרון | — | 8 Gbit |
| tRCD | — | 19 ns |
| טמפרטורת פעולה | — | 0°C to +95°C (case) |
| סוג הרכבה | — | Surface Mount |
| מספר פינים | — | 96 |
| ממשק | — | POD (Pseudo Open Drain) |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| רוחב אפיק נתונים | — | 16 bit |