H5AN8G6NDJR vs IS43QR16512B-062AABL مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN8G6NDJR بواسطة SK hynix و IS43QR16512B-062AABL بواسطة ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43QR16512B-062AABL - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ISSI
IS43QR16512B-062AABL ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | H5AN8G6NDJR | IS43QR16512B-062AABL |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| التنظيم | 512M x 16 | 512M x 16 |
| معدل البيانات | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 MT/s |
| جهد التغذية | 1.2 V | 1.2 V |
| العلبة | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) | 96-TWBGA (7.5x13.5 mm) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | 1.26 V | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| زمن الوصول CAS | 22 cycles (at 3200 Mbps) | 22-22-22 |
| Access Mode | Multi Bank Page Burst | — |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B96 | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| الميزات | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling | — |
| حجم الذاكرة | — | 8 Gbit |
| tRCD | — | 19 ns |
| درجة حرارة التشغيل | — | 0°C to +95°C (case) |
| نوع التركيب | — | Surface Mount |
| عدد الدبابيس | — | 96 |
| الواجهة | — | POD (Pseudo Open Drain) |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| عرض ناقل البيانات | — | 16 bit |