H5AN8G6NDJR vs IS43QR16512B-062AABL موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از H5AN8G6NDJR بذریعہ SK hynix اور IS43QR16512B-062AABL بذریعہ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

SK hynix
H5AN8G6NDJR H5AN8G6NDJR - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | SK hynix

H5AN8G6NDJR - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | SK hynix

H5AN8G6NDJR ✓ فعال
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43QR16512B-062AABL IS43QR16512B-062AABL - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ISSI

IS43QR16512B-062AABL - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ISSI

IS43QR16512B-062AABL ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر H5AN8G6NDJR IS43QR16512B-062AABL
برانڈ SK hynix ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb —
تنظیم 512M x 16 512M x 16
ڈیٹا ریٹ 3200 Mbps (DDR4-3200) 3200 MT/s
سپلائی وولٹیج 1.2 V 1.2 V
پیکیج 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) 96-TWBGA (7.5x13.5 mm)
Number of Terminals 96 —
Maximum Supply Voltage (Vsup) 1.26 V —
Maximum Operating Temperature 85 °C —
Burst Length 8 (BL8), 4 (BC4) —
CAS لیٹنسی 22 cycles (at 3200 Mbps) 22-22-22
Access Mode Multi Bank Page Burst —
JESD-30 Code R-PBGA-B96 —
RoHS Compliant Compliant
خصوصیات Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling —
میموری سائز — 8 Gbit
tRCD — 19 ns
آپریٹنگ درجہ حرارت — 0°C to +95°C (case)
ماؤنٹنگ ٹائپ — Surface Mount
پنز کی تعداد — 96
انٹرفیس — POD (Pseudo Open Drain)
Clock Frequency — 1.6 GHz
ڈیٹا بس چوڑائی — 16 bit

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں