H5AN8G6NDJR vs IS43QR16512B-062AABL مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN8G6NDJR توسط SK hynix و IS43QR16512B-062AABL توسط ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43QR16512B-062AABL - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ISSI
IS43QR16512B-062AABL ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | H5AN8G6NDJR | IS43QR16512B-062AABL |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| سازمان | 512M x 16 | 512M x 16 |
| نرخ داده | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 MT/s |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | 1.2 V |
| بسته‌بندی | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) | 96-TWBGA (7.5x13.5 mm) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | 1.26 V | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| تأخیر CAS | 22 cycles (at 3200 Mbps) | 22-22-22 |
| Access Mode | Multi Bank Page Burst | — |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B96 | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| ویژگی‌ها | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling | — |
| اندازه حافظه | — | 8 Gbit |
| tRCD | — | 19 ns |
| دمای کاری | — | 0°C to +95°C (case) |
| نوع نصب | — | Surface Mount |
| تعداد پین‌ها | — | 96 |
| رابط | — | POD (Pseudo Open Drain) |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| عرض گذرگاه داده | — | 16 bit |