K4A8G165WB-BIRC vs MT41K256M16HA-125 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A8G165WB-BIRC tarafından Samsung Electronics ve MT41K256M16HA-125 tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4A8G165WB-BIRC K4A8G165WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2400Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2400Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BIRC ✓ Aktif
Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4A8G165WB-BIRC MT41K256M16HA-125
Marka Samsung Electronics Micron Technology
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Stok Durumu In Stock —
Birim Fiyat (USD) $32,50 $6,36
Bellek Türü DDR4 SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 8 Gb —
Organizasyon 512M x 16 —
Veri Hızı 2400 Mbps —
Besleme Gerilimi 1.2 V 1.35 V
İşletim Sıcaklığı -40°C to +95°C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Paket 96-FBGA 96-FBGA (9x14 mm)
CAS Gecikme 15, 16, 17 11
Burst Length 8 (BL8) and 4 (BC4) —
Arayüz Pseudo-open-drain —
On-Die Termination Yes —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
Row Address 16K —
Column Address 1K —
RoHS Compliant —
Bellek Boyutu — 4Gbit (256M x 16)
Veri Bus Genişliği — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 13.75 ns
Pin Sayısı — 96
Montaj Türü — Surface Mount
RoHS Durumu — Compliant
Lead-Free — Yes
Logic Family — CMOS
Refresh Interval — 7.8 us at 85C

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin