K4A8G165WB-BIRC vs MT41K256M16HA-125 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G165WB-BIRC توسط Samsung Electronics و MT41K256M16HA-125 توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Samsung Electronics
K4A8G165WB-BIRC K4A8G165WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2400Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2400Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BIRC ✓ فعال
Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر K4A8G165WB-BIRC MT41K256M16HA-125
برند Samsung Electronics Micron Technology
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
وضعیت موجودی In Stock —
قیمت واحد (USD) $32.50 $6.36
نوع حافظه DDR4 SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 8 Gb —
سازمان 512M x 16 —
نرخ داده 2400 Mbps —
ولتاژ تغذیه 1.2 V 1.35 V
دمای کاری -40°C to +95°C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
بسته‌بندی 96-FBGA 96-FBGA (9x14 mm)
تأخیر CAS 15, 16, 17 11
Burst Length 8 (BL8) and 4 (BC4) —
رابط Pseudo-open-drain —
On-Die Termination Yes —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
Row Address 16K —
Column Address 1K —
RoHS Compliant —
اندازه حافظه — 4Gbit (256M x 16)
عرض گذرگاه داده — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 13.75 ns
تعداد پین‌ها — 96
نوع نصب — Surface Mount
وضعیت RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Logic Family — CMOS
Refresh Interval — 7.8 us at 85C

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت