K4A8G165WB-BIRC vs MT41K256M16HA-125 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G165WB-BIRC بواسطة Samsung Electronics و MT41K256M16HA-125 بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G165WB-BIRC | MT41K256M16HA-125 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| حالة المخزون | In Stock | — |
| سعر الوحدة (USD) | $32.50 | $6.36 |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 8 Gb | — |
| التنظيم | 512M x 16 | — |
| معدل البيانات | 2400 Mbps | — |
| جهد التغذية | 1.2 V | 1.35 V |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C to +95°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| العلبة | 96-FBGA | 96-FBGA (9x14 mm) |
| زمن الوصول CAS | 15, 16, 17 | 11 |
| Burst Length | 8 (BL8) and 4 (BC4) | — |
| الواجهة | Pseudo-open-drain | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| Row Address | 16K | — |
| Column Address | 1K | — |
| RoHS | Compliant | — |
| حجم الذاكرة | — | 4Gbit (256M x 16) |
| عرض ناقل البيانات | — | 16 bit |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Access Time | — | 13.75 ns |
| عدد الدبابيس | — | 96 |
| نوع التركيب | — | Surface Mount |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Logic Family | — | CMOS |
| Refresh Interval | — | 7.8 us at 85C |