K4A8G165WB-BIRC vs MT41K256M16HA-125 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G165WB-BIRC بذریعہ Samsung Electronics اور MT41K256M16HA-125 بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A8G165WB-BIRC K4A8G165WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2400Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2400Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BIRC ✓ فعال
Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A8G165WB-BIRC MT41K256M16HA-125
برانڈ Samsung Electronics Micron Technology
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
اسٹاک کی حالت In Stock —
فی یونٹ قیمت (USD) $32.50 $6.36
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 8 Gb —
تنظیم 512M x 16 —
ڈیٹا ریٹ 2400 Mbps —
سپلائی وولٹیج 1.2 V 1.35 V
آپریٹنگ درجہ حرارت -40°C to +95°C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
پیکیج 96-FBGA 96-FBGA (9x14 mm)
CAS لیٹنسی 15, 16, 17 11
Burst Length 8 (BL8) and 4 (BC4) —
انٹرفیس Pseudo-open-drain —
On-Die Termination Yes —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
Row Address 16K —
Column Address 1K —
RoHS Compliant —
میموری سائز — 4Gbit (256M x 16)
ڈیٹا بس چوڑائی — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 13.75 ns
پنز کی تعداد — 96
ماؤنٹنگ ٹائپ — Surface Mount
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Lead-Free — Yes
Logic Family — CMOS
Refresh Interval — 7.8 us at 85C

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں