K4A8G165WB-BIRC vs MT41K256M16HA-125 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A8G165WB-BIRC מאת Samsung Electronics ו MT41K256M16HA-125 מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4A8G165WB-BIRC | MT41K256M16HA-125 |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Micron Technology |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סטטוס מלאי | In Stock | — |
| מחיר ליחידה (USD) | $32.50 | $6.36 |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 8 Gb | — |
| ארגון | 512M x 16 | — |
| קצב נתונים | 2400 Mbps | — |
| מתח אספקה | 1.2 V | 1.35 V |
| טמפרטורת פעולה | -40°C to +95°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| מארז | 96-FBGA | 96-FBGA (9x14 mm) |
| השהיית CAS | 15, 16, 17 | 11 |
| Burst Length | 8 (BL8) and 4 (BC4) | — |
| ממשק | Pseudo-open-drain | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| Row Address | 16K | — |
| Column Address | 1K | — |
| RoHS | Compliant | — |
| גודל זיכרון | — | 4Gbit (256M x 16) |
| רוחב אפיק נתונים | — | 16 bit |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Access Time | — | 13.75 ns |
| מספר פינים | — | 96 |
| סוג הרכבה | — | Surface Mount |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Logic Family | — | CMOS |
| Refresh Interval | — | 7.8 us at 85C |