K4A8G165WB-BIRC vs MT41K256M16HA-125 Perbandingan

Perbandingan bersamaan detil K4A8G165WB-BIRC dari Samsung Electronics dan MT41K256M16HA-125 dari Micron Technology. Bandingkan spesifikasi penting, parameter listrik, pengemasan, status cycle, harga, dan ketersediaan untuk menentukan komponen terbaik untuk kebutuhan desain Anda.

Samsung Electronics
K4A8G165WB-BIRC K4A8G165WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2400Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2400Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BIRC ✓ Aktif
Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ Aktif

Perbandingan Spesifikasi

Parameter Umum K4A8G165WB-BIRC MT41K256M16HA-125
Merek Samsung Electronics Micron Technology
Kategori Memory ICs Memory ICs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Status Stok In Stock —
Harga Unit (USD) $32,50 $6,36
Tipe Memori DDR4 SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 8 Gb —
Organisasi 512M x 16 —
Laju Data 2400 Mbps —
Tegangan Pemuat 1.2 V 1.35 V
Suhu Kerja -40°C to +95°C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Paket 96-FBGA 96-FBGA (9x14 mm)
Latensi CAS 15, 16, 17 11
Burst Length 8 (BL8) and 4 (BC4) —
Antarmuka Pseudo-open-drain —
On-Die Termination Yes —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
Row Address 16K —
Column Address 1K —
RoHS Compliant —
Ukuran Memori — 4Gbit (256M x 16)
Lebar Bus Data — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 13.75 ns
Jumlah Pin — 96
Tipe Mounting — Surface Mount
Status RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Logic Family — CMOS
Refresh Interval — 7.8 us at 85C

Spek dan Sumber

Buka Semua Produk Buat BOM Ajukan Diskon