K4A4G085WG-BCWE vs K4A4G085WD-BCRC موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A4G085WG-BCWE بذریعہ Samsung Electronics اور K4A4G085WD-BCRC بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A4G085WG-BCWE K4A4G085WG-BCWE - 4Gb DDR4 3200Mbps SDRAM | Samsung

K4A4G085WG-BCWE - 4Gb DDR4 3200Mbps SDRAM | Samsung

K4A4G085WG-BCWE ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCRC K4A4G085WD-BCRC - 4Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx8 | Samsung

K4A4G085WD-BCRC - 4Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx8 | Samsung

K4A4G085WD-BCRC ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A4G085WG-BCWE K4A4G085WD-BCRC
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM (Volatile) DDR4 SDRAM (D-die)
میموری سائز 4 Gb —
Memory Organization 512M x 8 —
ڈیٹا ریٹ 3200 Mbps/pin 2400 Mb/s (PC2400)
Speed Class DDR4-3200 —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Technology D-die DDR4 —
پیکیج FBGA-78 (BCW) FBGA-78 (TFBGA)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
انٹرفیس Parallel (DDR4) Parallel
Burst Length BL8 —
DLL Mode DLL Enabled (per datasheet timing) —
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate specification] [DATA_NEEDED: Refresh specification]
RoHS اسٹیٹس Compliant [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Packaging Tray —
Memory Density — 4 Gbit
تنظیم — 512M x 8
سپلائی وولٹیج — 1.2 V
Number of Terminals — 78
Access Mode — Multi-bank page burst
CAS لیٹنسی — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
MSL لیول — [DATA_NEEDED: MSL Level]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں