K4A4G085WG-BCWE vs K4A4G085WD-BCRC השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A4G085WG-BCWE מאת Samsung Electronics ו K4A4G085WD-BCRC מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4A4G085WG-BCWE | K4A4G085WD-BCRC |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM (Volatile) | DDR4 SDRAM (D-die) |
| גודל זיכרון | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 8 | — |
| קצב נתונים | 3200 Mbps/pin | 2400 Mb/s (PC2400) |
| Speed Class | DDR4-3200 | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Technology | D-die DDR4 | — |
| מארז | FBGA-78 (BCW) | FBGA-78 (TFBGA) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| ממשק | Parallel (DDR4) | Parallel |
| Burst Length | BL8 | — |
| DLL Mode | DLL Enabled (per datasheet timing) | — |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] | [DATA_NEEDED: Refresh specification] |
| סטטוס RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Packaging | Tray | — |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| ארגון | — | 512M x 8 |
| מתח אספקה | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Access Mode | — | Multi-bank page burst |
| השהיית CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| רמת MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |