K4A4G085WG-BCWE vs K4A4G085WD-BCRC So sánh

So sánh chi tiết song song của K4A4G085WG-BCWE bằng Samsung Electronics và K4A4G085WD-BCRC bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K4A4G085WG-BCWE K4A4G085WG-BCWE - 4Gb DDR4 3200Mbps SDRAM | Samsung

K4A4G085WG-BCWE - 4Gb DDR4 3200Mbps SDRAM | Samsung

K4A4G085WG-BCWE ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCRC K4A4G085WD-BCRC - 4Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx8 | Samsung

K4A4G085WD-BCRC - 4Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx8 | Samsung

K4A4G085WD-BCRC ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K4A4G085WG-BCWE K4A4G085WD-BCRC
Thương hiệu Samsung Electronics Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM (Volatile) DDR4 SDRAM (D-die)
Kích thước bộ nhớ 4 Gb —
Memory Organization 512M x 8 —
Tốc độ dữ liệu 3200 Mbps/pin 2400 Mb/s (PC2400)
Speed Class DDR4-3200 —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Technology D-die DDR4 —
Hộp FBGA-78 (BCW) FBGA-78 (TFBGA)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Giao diện Parallel (DDR4) Parallel
Burst Length BL8 —
DLL Mode DLL Enabled (per datasheet timing) —
Nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate specification] [DATA_NEEDED: Refresh specification]
Trạng thái RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Packaging Tray —
Memory Density — 4 Gbit
Tổ chức — 512M x 8
Điện áp cung cấp — 1.2 V
Number of Terminals — 78
Access Mode — Multi-bank page burst
Latency CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Khoảng nhiệt độ hoạt động — [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Cấp MSL — [DATA_NEEDED: MSL Level]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá