K4A4G085WG-BCWE vs K4A4G085WD-BCRC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A4G085WG-BCWE توسط Samsung Electronics و K4A4G085WD-BCRC توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A4G085WG-BCWE | K4A4G085WD-BCRC |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM (Volatile) | DDR4 SDRAM (D-die) |
| اندازه حافظه | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 8 | — |
| نرخ داده | 3200 Mbps/pin | 2400 Mb/s (PC2400) |
| Speed Class | DDR4-3200 | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Technology | D-die DDR4 | — |
| بسته‌بندی | FBGA-78 (BCW) | FBGA-78 (TFBGA) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| رابط | Parallel (DDR4) | Parallel |
| Burst Length | BL8 | — |
| DLL Mode | DLL Enabled (per datasheet timing) | — |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] | [DATA_NEEDED: Refresh specification] |
| وضعیت RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Packaging | Tray | — |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| سازمان | — | 512M x 8 |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Access Mode | — | Multi-bank page burst |
| تأخیر CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| محدوده دمای کاری | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| سطح MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |