1EDN7512GXTMA1 vs 1EDN7116GXTMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1EDN7512GXTMA1 بواسطة Infineon و 1EDN7116GXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | 1EDN7512GXTMA1 | 1EDN7116GXTMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| الوظيفة | Low-side gate driver, single channel | Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs |
| Peak Source Current | 4 A | 2 A (typ) |
| Peak Sink Current | 8 A | 4 A (typ) |
| عدد المخارج | 1 | — |
| Logic Inputs | Inverting and Non-Inverting | — |
| Propagation Delay (typical) | 19 ns | — |
| نطاق جهد الدخل | [DATA_NEEDED: VCC range] | — |
| Input Robustness (negative) | -10 V | — |
| زمن الصعود | [DATA_NEEDED: typical tr] | — |
| زمن السقوط | [DATA_NEEDED: typical tf] | — |
| UVLO | [DATA_NEEDED: UVLO threshold] | Yes (VCC and gate-rail monitored) |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -40 C to +125 C | -40 °C to +125 °C |
| العلبة | PG-WSON-6-1 (6-pin WSON with exposed pad) | PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | MSL3 |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Driver Configuration | — | Non-inverting, single low-side |
| Number of Drivers | — | 1 |
| Input Type | — | Truly Differential Input (TDI) |
| Supply Voltage (VCC) | — | 4.5 V to 5.5 V |
| Switch-Node Blocking Voltage | — | 200 V (max) |
| Propagation Delay (Typ) | — | 9 ns |
| Rise Time (Typ) | — | 3 ns |
| Fall Time (Typ) | — | 3 ns |
| Quiescent Current (Typ) | — | 0.6 mA |
| Miller Clamp | — | Integrated, active |
| Target Switch Technology | — | GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET |