1EDN7512GXTMA1 vs 1EDN7116GXTMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना 1EDN7512GXTMA1 द्वारा Infineon और 1EDN7116GXTMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | 1EDN7512GXTMA1 | 1EDN7116GXTMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| फ़ंक्शन | Low-side gate driver, single channel | Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs |
| Peak Source Current | 4 A | 2 A (typ) |
| Peak Sink Current | 8 A | 4 A (typ) |
| आउटपुट की संख्या | 1 | — |
| Logic Inputs | Inverting and Non-Inverting | — |
| Propagation Delay (typical) | 19 ns | — |
| इनपुट वोल्टेज रेंज | [DATA_NEEDED: VCC range] | — |
| Input Robustness (negative) | -10 V | — |
| राइज़ टाइम | [DATA_NEEDED: typical tr] | — |
| फॉल टाइम | [DATA_NEEDED: typical tf] | — |
| UVLO | [DATA_NEEDED: UVLO threshold] | Yes (VCC and gate-rail monitored) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -40 C to +125 C | -40 °C to +125 °C |
| पैकेज | PG-WSON-6-1 (6-pin WSON with exposed pad) | PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | MSL3 |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Driver Configuration | — | Non-inverting, single low-side |
| Number of Drivers | — | 1 |
| Input Type | — | Truly Differential Input (TDI) |
| Supply Voltage (VCC) | — | 4.5 V to 5.5 V |
| Switch-Node Blocking Voltage | — | 200 V (max) |
| Propagation Delay (Typ) | — | 9 ns |
| Rise Time (Typ) | — | 3 ns |
| Fall Time (Typ) | — | 3 ns |
| Quiescent Current (Typ) | — | 0.6 mA |
| Miller Clamp | — | Integrated, active |
| Target Switch Technology | — | GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET |