1EDN7512GXTMA1 vs 1EDN7116GXTMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار 1EDN7512GXTMA1 توسط Infineon و 1EDN7116GXTMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
1EDN7512GXTMA1 1EDN7512GXTMA1 - 4A/8A Low-Side Gate Driver | Infineon

1EDN7512GXTMA1 - 4A/8A Low-Side Gate Driver | Infineon

1EDN7512GXTMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر 1EDN7512GXTMA1 1EDN7116GXTMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
عملکرد Low-side gate driver, single channel Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs
Peak Source Current 4 A 2 A (typ)
Peak Sink Current 8 A 4 A (typ)
تعداد خروجی‌ها 1 —
Logic Inputs Inverting and Non-Inverting —
Propagation Delay (typical) 19 ns —
محدوده ولتاژ ورودی [DATA_NEEDED: VCC range] —
Input Robustness (negative) -10 V —
زمان صعود [DATA_NEEDED: typical tr] —
زمان افت [DATA_NEEDED: typical tf] —
UVLO [DATA_NEEDED: UVLO threshold] Yes (VCC and gate-rail monitored)
محدوده دمای کاری -40 C to +125 C -40 °C to +125 °C
بسته‌بندی PG-WSON-6-1 (6-pin WSON with exposed pad) PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL3
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Driver Configuration — Non-inverting, single low-side
Number of Drivers — 1
Input Type — Truly Differential Input (TDI)
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 5.5 V
Switch-Node Blocking Voltage — 200 V (max)
Propagation Delay (Typ) — 9 ns
Rise Time (Typ) — 3 ns
Fall Time (Typ) — 3 ns
Quiescent Current (Typ) — 0.6 mA
Miller Clamp — Integrated, active
Target Switch Technology — GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت