1EDN7512GXTMA1 vs 1EDN7116GXTMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از 1EDN7512GXTMA1 بذریعہ Infineon اور 1EDN7116GXTMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
1EDN7512GXTMA1 1EDN7512GXTMA1 - 4A/8A Low-Side Gate Driver | Infineon

1EDN7512GXTMA1 - 4A/8A Low-Side Gate Driver | Infineon

1EDN7512GXTMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر 1EDN7512GXTMA1 1EDN7116GXTMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فنکشن Low-side gate driver, single channel Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs
Peak Source Current 4 A 2 A (typ)
Peak Sink Current 8 A 4 A (typ)
آؤٹ پٹس کی تعداد 1 —
Logic Inputs Inverting and Non-Inverting —
Propagation Delay (typical) 19 ns —
اِن پٹ وولٹیج رینج [DATA_NEEDED: VCC range] —
Input Robustness (negative) -10 V —
رائز ٹائم [DATA_NEEDED: typical tr] —
فال ٹائم [DATA_NEEDED: typical tf] —
UVLO [DATA_NEEDED: UVLO threshold] Yes (VCC and gate-rail monitored)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -40 C to +125 C -40 °C to +125 °C
پیکیج PG-WSON-6-1 (6-pin WSON with exposed pad) PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL3
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Driver Configuration — Non-inverting, single low-side
Number of Drivers — 1
Input Type — Truly Differential Input (TDI)
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 5.5 V
Switch-Node Blocking Voltage — 200 V (max)
Propagation Delay (Typ) — 9 ns
Rise Time (Typ) — 3 ns
Fall Time (Typ) — 3 ns
Quiescent Current (Typ) — 0.6 mA
Miller Clamp — Integrated, active
Target Switch Technology — GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں