1EDN8511BXUSA1 vs 1EDN7511B مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1EDN8511BXUSA1 بواسطة Infineon و 1EDN7511B بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | 1EDN8511BXUSA1 | 1EDN7511B |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Channel Count | 1 | — |
| Driver Configuration | Low-side | — |
| Peak Source Current | 4 A | 4 A |
| Peak Sink Current | 8 A | 8 A |
| Input Stage | Inverting and non-inverting | — |
| Propagation Delay Accuracy | [DATA_NEEDED: typical propagation delay] | — |
| UVLO Threshold | 8 V | — |
| Driver Supply Voltage (VCC) | [DATA_NEEDED: VCC range upper limit] | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -40 °C to +150 °C | — |
| العلبة | PG-SOT23-6-2 | SOT-23-6 (PG-SOT23-6-2) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الأطراف | 6 | — |
| Logic Input Compatibility | TTL / CMOS | — |
| Target Switch Type | Power MOSFET, GaN HEMT | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Driver Type | — | Single-channel low-side gate driver |
| Number of Channels | — | 1 |
| Supply Voltage (VCC) | — | 4.5 V to 20 V |
| UVLO Threshold (logic-level variant) | — | 1.9 V to 2.3 V |
| UVLO Threshold (normal-level variant) | — | 800 mV to 1.2 V (typ) |
| Propagation Delay | — | 4.5 ns (typ) |
| Rise Time (typ) | — | 19 ns |
| Fall Time (typ) | — | 19 ns |
| Output On-Resistance (pull-up) | — | 0.85 ohm |
| Output On-Resistance (pull-down) | — | 0.35 ohm |
| Input Logic | — | Inverting + Non-inverting |
| درجة حرارة التشغيل | — | -40 C to +150 C |
| Supported Switches | — | MOSFET (OptiMOS, CoolMOS), GaN HEMT |