1EDN8511BXUSA1 vs 1EDN7511B השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של 1EDN8511BXUSA1 מאת Infineon ו 1EDN7511B מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | 1EDN8511BXUSA1 | 1EDN7511B |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Channel Count | 1 | — |
| Driver Configuration | Low-side | — |
| Peak Source Current | 4 A | 4 A |
| Peak Sink Current | 8 A | 8 A |
| Input Stage | Inverting and non-inverting | — |
| Propagation Delay Accuracy | [DATA_NEEDED: typical propagation delay] | — |
| UVLO Threshold | 8 V | — |
| Driver Supply Voltage (VCC) | [DATA_NEEDED: VCC range upper limit] | — |
| טמפרטורת צומת פעולה | -40 °C to +150 °C | — |
| מארז | PG-SOT23-6-2 | SOT-23-6 (PG-SOT23-6-2) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| מספר פינים | 6 | — |
| Logic Input Compatibility | TTL / CMOS | — |
| Target Switch Type | Power MOSFET, GaN HEMT | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Driver Type | — | Single-channel low-side gate driver |
| Number of Channels | — | 1 |
| Supply Voltage (VCC) | — | 4.5 V to 20 V |
| UVLO Threshold (logic-level variant) | — | 1.9 V to 2.3 V |
| UVLO Threshold (normal-level variant) | — | 800 mV to 1.2 V (typ) |
| Propagation Delay | — | 4.5 ns (typ) |
| Rise Time (typ) | — | 19 ns |
| Fall Time (typ) | — | 19 ns |
| Output On-Resistance (pull-up) | — | 0.85 ohm |
| Output On-Resistance (pull-down) | — | 0.35 ohm |
| Input Logic | — | Inverting + Non-inverting |
| טמפרטורת פעולה | — | -40 C to +150 C |
| Supported Switches | — | MOSFET (OptiMOS, CoolMOS), GaN HEMT |