1EDN8511BXUSA1 vs 1EDN7511B مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار 1EDN8511BXUSA1 توسط Infineon و 1EDN7511B توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر 1EDN8511BXUSA1 1EDN7511B
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Channel Count 1 —
Driver Configuration Low-side —
Peak Source Current 4 A 4 A
Peak Sink Current 8 A 8 A
Input Stage Inverting and non-inverting —
Propagation Delay Accuracy [DATA_NEEDED: typical propagation delay] —
UVLO Threshold 8 V —
Driver Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range upper limit] —
دمای اتصال کاری -40 °C to +150 °C —
بسته‌بندی PG-SOT23-6-2 SOT-23-6 (PG-SOT23-6-2)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
تعداد پایه 6 —
Logic Input Compatibility TTL / CMOS —
Target Switch Type Power MOSFET, GaN HEMT —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Driver Type — Single-channel low-side gate driver
Number of Channels — 1
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 20 V
UVLO Threshold (logic-level variant) — 1.9 V to 2.3 V
UVLO Threshold (normal-level variant) — 800 mV to 1.2 V (typ)
Propagation Delay — 4.5 ns (typ)
Rise Time (typ) — 19 ns
Fall Time (typ) — 19 ns
Output On-Resistance (pull-up) — 0.85 ohm
Output On-Resistance (pull-down) — 0.35 ohm
Input Logic — Inverting + Non-inverting
دمای کاری — -40 C to +150 C
Supported Switches — MOSFET (OptiMOS, CoolMOS), GaN HEMT

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت