1EDN8511BXUSA1 vs 1EDN7511B তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা 1EDN8511BXUSA1 নির্দিষ্ট Infineon ও 1EDN7511B নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
1EDN8511BXUSA1 1EDN8511BXUSA1 - 1-Ch 4A/8A Low-Side Gate Driver | Infineon

1EDN8511BXUSA1 - 1-Ch 4A/8A Low-Side Gate Driver | Infineon

1EDN8511BXUSA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
1EDN7511B 1EDN7511B - 4A/8A Low-Side Gate Driver IC | Infineon

1EDN7511B - 4A/8A Low-Side Gate Driver IC | Infineon

1EDN7511B ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার 1EDN8511BXUSA1 1EDN7511B
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Channel Count 1 —
Driver Configuration Low-side —
Peak Source Current 4 A 4 A
Peak Sink Current 8 A 8 A
Input Stage Inverting and non-inverting —
Propagation Delay Accuracy [DATA_NEEDED: typical propagation delay] —
UVLO Threshold 8 V —
Driver Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range upper limit] —
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা -40 °C to +150 °C —
প্যাকেজ PG-SOT23-6-2 SOT-23-6 (PG-SOT23-6-2)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
পিন সংখ্যা 6 —
Logic Input Compatibility TTL / CMOS —
Target Switch Type Power MOSFET, GaN HEMT —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
MSL লেভেল [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Driver Type — Single-channel low-side gate driver
Number of Channels — 1
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 20 V
UVLO Threshold (logic-level variant) — 1.9 V to 2.3 V
UVLO Threshold (normal-level variant) — 800 mV to 1.2 V (typ)
Propagation Delay — 4.5 ns (typ)
Rise Time (typ) — 19 ns
Fall Time (typ) — 19 ns
Output On-Resistance (pull-up) — 0.85 ohm
Output On-Resistance (pull-down) — 0.35 ohm
Input Logic — Inverting + Non-inverting
অপারেটিং তাপমাত্রা — -40 C to +150 C
Supported Switches — MOSFET (OptiMOS, CoolMOS), GaN HEMT

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট