1EDN8511BXUSA1 vs 1EDN7511B موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از 1EDN8511BXUSA1 بذریعہ Infineon اور 1EDN7511B بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر 1EDN8511BXUSA1 1EDN7511B
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Channel Count 1 —
Driver Configuration Low-side —
Peak Source Current 4 A 4 A
Peak Sink Current 8 A 8 A
Input Stage Inverting and non-inverting —
Propagation Delay Accuracy [DATA_NEEDED: typical propagation delay] —
UVLO Threshold 8 V —
Driver Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range upper limit] —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -40 °C to +150 °C —
پیکیج PG-SOT23-6-2 SOT-23-6 (PG-SOT23-6-2)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پن کی تعداد 6 —
Logic Input Compatibility TTL / CMOS —
Target Switch Type Power MOSFET, GaN HEMT —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Driver Type — Single-channel low-side gate driver
Number of Channels — 1
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 20 V
UVLO Threshold (logic-level variant) — 1.9 V to 2.3 V
UVLO Threshold (normal-level variant) — 800 mV to 1.2 V (typ)
Propagation Delay — 4.5 ns (typ)
Rise Time (typ) — 19 ns
Fall Time (typ) — 19 ns
Output On-Resistance (pull-up) — 0.85 ohm
Output On-Resistance (pull-down) — 0.35 ohm
Input Logic — Inverting + Non-inverting
آپریٹنگ درجہ حرارت — -40 C to +150 C
Supported Switches — MOSFET (OptiMOS, CoolMOS), GaN HEMT

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں