FDP030N06 vs IRFB7534PBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ FDP030N06 بواسطة onsemi و IRFB7534PBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | FDP030N06 | IRFB7534PBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | onsemi | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | PowerTrench (Trench) | StrongIRFET™ (planar N-channel) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25C | 120 A (Tc) | — |
| Continuous Drain Current (datasheet rating) | 193 A (Tc, datasheet title rating) | — |
| RDS(on) Max @ Id, Vgs | 3.2 mOhm | — |
| RDS(on) Typ | 2.6 mOhm | — |
| Power Dissipation (Tc) | 231 W (Tc) | — |
| Gate Drive Type | Standard level gate drive | — |
| Switching Speed | Fast | — |
| Gate Input Resistance | Low gate input resistance (low gate charge) | — |
| Avalanche Test | 100% avalanche tested | — |
| العلبة | TO-220-3 (3+Tab) | TO-220AB |
| نوع التركيب | Through Hole | Through Hole |
| Packing | Tube | — |
| Typical Applications | Power supply, switching applications | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] | Compliant (PbF suffix) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IRFB7534PBF |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 195 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 294 W |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 2.4 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 3.7 V (typ) |
| Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +175C |
| مستوى MSL | — | MSL1 (unlimited floor life) |