FDP030N06 vs IRFB7534PBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना FDP030N06 द्वारा onsemi और IRFB7534PBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | FDP030N06 | IRFB7534PBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | onsemi | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | PowerTrench (Trench) | StrongIRFET™ (planar N-channel) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25C | 120 A (Tc) | — |
| Continuous Drain Current (datasheet rating) | 193 A (Tc, datasheet title rating) | — |
| RDS(on) Max @ Id, Vgs | 3.2 mOhm | — |
| RDS(on) Typ | 2.6 mOhm | — |
| Power Dissipation (Tc) | 231 W (Tc) | — |
| Gate Drive Type | Standard level gate drive | — |
| Switching Speed | Fast | — |
| Gate Input Resistance | Low gate input resistance (low gate charge) | — |
| Avalanche Test | 100% avalanche tested | — |
| पैकेज | TO-220-3 (3+Tab) | TO-220AB |
| माउंटिंग प्रकार | Through Hole | Through Hole |
| Packing | Tube | — |
| Typical Applications | Power supply, switching applications | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] | Compliant (PbF suffix) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IRFB7534PBF |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 195 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 294 W |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 2.4 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 3.7 V (typ) |
| Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55C to +175C |
| MSL स्तर | — | MSL1 (unlimited floor life) |