FDP030N06 vs IRFB7534PBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של FDP030N06 מאת onsemi ו IRFB7534PBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר FDP030N06 IRFB7534PBF
מותג onsemi Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel MOSFET —
Technology PowerTrench (Trench) StrongIRFET™ (planar N-channel)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25C 120 A (Tc) —
Continuous Drain Current (datasheet rating) 193 A (Tc, datasheet title rating) —
RDS(on) Max @ Id, Vgs 3.2 mOhm —
RDS(on) Typ 2.6 mOhm —
Power Dissipation (Tc) 231 W (Tc) —
Gate Drive Type Standard level gate drive —
Switching Speed Fast —
Gate Input Resistance Low gate input resistance (low gate charge) —
Avalanche Test 100% avalanche tested —
מארז TO-220-3 (3+Tab) TO-220AB
סוג הרכבה Through Hole Through Hole
Packing Tube —
Typical Applications Power supply, switching applications —
סטטוס RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] Compliant (PbF suffix)
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFB7534PBF
סוג טרנזיסטור — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 195 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 294 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 2.4 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 3.7 V (typ)
Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Avalanche Energy Rated — Yes
טווח טמפרטורת פעולה — -55C to +175C
רמת MSL — MSL1 (unlimited floor life)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר