IPN95R1K2P7ATMA1 vs IPN95R3K7P7ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPN95R1K2P7ATMA1 بواسطة Infineon و IPN95R3K7P7ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPN95R1K2P7ATMA1 | IPN95R3K7P7ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | CoolMOS P7 (Super Junction) | Super-junction (CoolMOS P7) |
| Drain-to-Source Voltage (V_DSS) | 950 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | 6 A | — |
| Maximum On-Resistance R_DS(on) at V_GS=10V | 1200 mOhm (1.2 Ohm) | — |
| Gate Drive Voltage (max R_DS(on)) | 10 V | — |
| Power Dissipation (T_C) | 7 W | — |
| العلبة | SOT-223-3 (PG-SOT223) | PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الأطراف | 3 (2 + Tab) | — |
| Series | CoolMOS P7 | CoolMOS P7 |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C | — |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Part Status | Active | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 950 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 2.0 A |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 6 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 3700 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55 C to +150 C |
| Lead-Free | — | Yes |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |