IPN95R1K2P7ATMA1 vs IPN95R3K7P7ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPN95R1K2P7ATMA1 tarafından Infineon ve IPN95R3K7P7ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPN95R1K2P7ATMA1 | IPN95R3K7P7ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | CoolMOS P7 (Super Junction) | Super-junction (CoolMOS P7) |
| Drain-to-Source Voltage (V_DSS) | 950 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | 6 A | — |
| Maximum On-Resistance R_DS(on) at V_GS=10V | 1200 mOhm (1.2 Ohm) | — |
| Gate Drive Voltage (max R_DS(on)) | 10 V | — |
| Power Dissipation (T_C) | 7 W | — |
| Paket | SOT-223-3 (PG-SOT223) | PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Pin Sayısı | 3 (2 + Tab) | — |
| Series | CoolMOS P7 | CoolMOS P7 |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C | — |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Part Status | Active | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 950 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 2.0 A |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 6 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 3700 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55 C to +150 C |
| Lead-Free | — | Yes |
| MSL Seviyesi | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |