IPN95R1K2P7ATMA1 vs IPN95R3K7P7ATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IPN95R1K2P7ATMA1 bằng Infineon và IPN95R3K7P7ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IPN95R1K2P7ATMA1 IPN95R1K2P7ATMA1 - 950V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET | Infineon

IPN95R1K2P7ATMA1 - 950V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET | Infineon

IPN95R1K2P7ATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
IPN95R3K7P7ATMA1 IPN95R3K7P7ATMA1 - 950V CoolMOS P7 N-MOSFET 2A SOT-223 | Infineon

IPN95R3K7P7ATMA1 - 950V CoolMOS P7 N-MOSFET 2A SOT-223 | Infineon

IPN95R3K7P7ATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IPN95R1K2P7ATMA1 IPN95R3K7P7ATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
FET Type N-Channel —
Technology CoolMOS P7 (Super Junction) Super-junction (CoolMOS P7)
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 950 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C 6 A —
Maximum On-Resistance R_DS(on) at V_GS=10V 1200 mOhm (1.2 Ohm) —
Gate Drive Voltage (max R_DS(on)) 10 V —
Power Dissipation (T_C) 7 W —
Hộp SOT-223-3 (PG-SOT223) PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Số chân 3 (2 + Tab) —
Series CoolMOS P7 CoolMOS P7
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55C to +150C —
Packaging Tape & Reel —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Part Status Active —
Manufacturer — Infineon Technologies
Kiểu transitor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 950 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 2.0 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 6 W
On-State Resistance (RDS(on)) max — 3700 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Nhiệt độ mối nối hoạt động — -55 C to +150 C
Lead-Free — Yes
Cấp MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá