IPN95R1K2P7ATMA1 vs IPN95R3K7P7ATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IPN95R1K2P7ATMA1 توسط Infineon و IPN95R3K7P7ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IPN95R1K2P7ATMA1 | IPN95R3K7P7ATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | CoolMOS P7 (Super Junction) | Super-junction (CoolMOS P7) |
| Drain-to-Source Voltage (V_DSS) | 950 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | 6 A | — |
| Maximum On-Resistance R_DS(on) at V_GS=10V | 1200 mOhm (1.2 Ohm) | — |
| Gate Drive Voltage (max R_DS(on)) | 10 V | — |
| Power Dissipation (T_C) | 7 W | — |
| بسته‌بندی | SOT-223-3 (PG-SOT223) | PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| تعداد پایه | 3 (2 + Tab) | — |
| Series | CoolMOS P7 | CoolMOS P7 |
| محدوده دمای کاری | -55C to +150C | — |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Part Status | Active | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| نوع ترانزیستور | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 950 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 2.0 A |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 6 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 3700 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] |
| دمای اتصال کاری | — | -55 C to +150 C |
| Lead-Free | — | Yes |
| سطح MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |