IPN95R1K2P7ATMA1 vs IPN95R3K7P7ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPN95R1K2P7ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPN95R3K7P7ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPN95R1K2P7ATMA1 IPN95R3K7P7ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology CoolMOS P7 (Super Junction) Super-junction (CoolMOS P7)
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 950 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C 6 A —
Maximum On-Resistance R_DS(on) at V_GS=10V 1200 mOhm (1.2 Ohm) —
Gate Drive Voltage (max R_DS(on)) 10 V —
Power Dissipation (T_C) 7 W —
پیکیج SOT-223-3 (PG-SOT223) PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پن کی تعداد 3 (2 + Tab) —
Series CoolMOS P7 CoolMOS P7
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C —
Packaging Tape & Reel —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Part Status Active —
Manufacturer — Infineon Technologies
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 950 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 2.0 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 6 W
On-State Resistance (RDS(on)) max — 3700 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 C to +150 C
Lead-Free — Yes
MSL لیول — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں