IPN95R1K2P7ATMA1 vs IPN95R3K7P7ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPN95R1K2P7ATMA1 द्वारा Infineon और IPN95R3K7P7ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
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IPN95R3K7P7ATMA1 - 950V CoolMOS P7 N-MOSFET 2A SOT-223 | Infineon
IPN95R3K7P7ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPN95R1K2P7ATMA1 | IPN95R3K7P7ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | CoolMOS P7 (Super Junction) | Super-junction (CoolMOS P7) |
| Drain-to-Source Voltage (V_DSS) | 950 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | 6 A | — |
| Maximum On-Resistance R_DS(on) at V_GS=10V | 1200 mOhm (1.2 Ohm) | — |
| Gate Drive Voltage (max R_DS(on)) | 10 V | — |
| Power Dissipation (T_C) | 7 W | — |
| पैकेज | SOT-223-3 (PG-SOT223) | PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पिन काउंट | 3 (2 + Tab) | — |
| Series | CoolMOS P7 | CoolMOS P7 |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C | — |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Part Status | Active | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 950 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 2.0 A |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 6 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 3700 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55 C to +150 C |
| Lead-Free | — | Yes |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |