K4A8G165WB-BCWE vs H5AN8G6NAFR مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G165WB-BCWE بواسطة Samsung Electronics و H5AN8G6NAFR بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G165WB-BCWE | H5AN8G6NAFR |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| حالة المخزون | In Stock | — |
| سعر الوحدة (USD) | $6.25 | — |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| معدل البيانات | 3200 Mbps/pin | 2400 MT/s |
| جهد التغذية | 1.2 V | 1.2 V |
| Access Time | 19 ns | — |
| الواجهة | Parallel | — |
| العلبة | 96FBGA | 96-ball FBGA |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +85C | 0°C to +85°C |
| نوع التركيب | Surface Mount | — |
| Memory Format | DRAM (volatile) | — |
| Technology | DDR4 SDRAM B-die | — |
| Prefetch | 8n | — |
| Refresh | Self-refresh supported | — |
| Termination | On-die termination (ODT) | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] | — |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Density | — | 8 Gb |
| التنظيم | — | 512M x 16 |
| Lead-Free | — | Yes |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |