K4A8G165WB-BCWE vs H5AN8G6NAFR مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G165WB-BCWE توسط Samsung Electronics و H5AN8G6NAFR توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ فعال
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A8G165WB-BCWE | H5AN8G6NAFR |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | SK hynix |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| وضعیت موجودی | In Stock | — |
| قیمت واحد (USD) | $6.25 | — |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| اندازه حافظه | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| نرخ داده | 3200 Mbps/pin | 2400 MT/s |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | 1.2 V |
| Access Time | 19 ns | — |
| رابط | Parallel | — |
| بسته‌بندی | 96FBGA | 96-ball FBGA |
| دمای کاری | 0C to +85C | 0°C to +85°C |
| نوع نصب | Surface Mount | — |
| Memory Format | DRAM (volatile) | — |
| Technology | DDR4 SDRAM B-die | — |
| Prefetch | 8n | — |
| Refresh | Self-refresh supported | — |
| Termination | On-die termination (ODT) | — |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] | — |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Density | — | 8 Gb |
| سازمان | — | 512M x 16 |
| Lead-Free | — | Yes |
| بدون هالوژن | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |