K4A8G165WB-BCWE vs H5AN8G6NAFR השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A8G165WB-BCWE מאת Samsung Electronics ו H5AN8G6NAFR מאת SK hynix. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ פעיל
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4A8G165WB-BCWE | H5AN8G6NAFR |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | SK hynix |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סטטוס מלאי | In Stock | — |
| מחיר ליחידה (USD) | $6.25 | — |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| גודל זיכרון | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| קצב נתונים | 3200 Mbps/pin | 2400 MT/s |
| מתח אספקה | 1.2 V | 1.2 V |
| Access Time | 19 ns | — |
| ממשק | Parallel | — |
| מארז | 96FBGA | 96-ball FBGA |
| טמפרטורת פעולה | 0C to +85C | 0°C to +85°C |
| סוג הרכבה | Surface Mount | — |
| Memory Format | DRAM (volatile) | — |
| Technology | DDR4 SDRAM B-die | — |
| Prefetch | 8n | — |
| Refresh | Self-refresh supported | — |
| Termination | On-die termination (ODT) | — |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] | — |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Density | — | 8 Gb |
| ארגון | — | 512M x 16 |
| Lead-Free | — | Yes |
| נטול הלוגנים | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |