K4A8G165WB-BCWE vs H5AN8G6NAFR So sánh
So sánh chi tiết song song của K4A8G165WB-BCWE bằng Samsung Electronics và H5AN8G6NAFR bằng SK hynix. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ Hoạt động
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K4A8G165WB-BCWE | H5AN8G6NAFR |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | SK hynix |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Trạng thái kho | In Stock | — |
| Giá đơn vị (USD) | $6,25 | — |
| Kiểu bộ nhớ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Kích thước bộ nhớ | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| Tốc độ dữ liệu | 3200 Mbps/pin | 2400 MT/s |
| Điện áp cung cấp | 1.2 V | 1.2 V |
| Access Time | 19 ns | — |
| Giao diện | Parallel | — |
| Hộp | 96FBGA | 96-ball FBGA |
| Nhiệt độ hoạt động | 0C to +85C | 0°C to +85°C |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | — |
| Memory Format | DRAM (volatile) | — |
| Technology | DDR4 SDRAM B-die | — |
| Prefetch | 8n | — |
| Refresh | Self-refresh supported | — |
| Termination | On-die termination (ODT) | — |
| Trạng thái RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] | — |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Tổ chức | — | 512M x 16 |
| Lead-Free | — | Yes |
| Đông trùng haogen | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |