K4A8G165WB-BCWE vs H5AN8G6NAFR তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A8G165WB-BCWE নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও H5AN8G6NAFR নির্দিষ্ট SK hynix. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ সক্রিয়
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4A8G165WB-BCWE | H5AN8G6NAFR |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | SK hynix |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| স্টক স্ট্যাটাস | In Stock | — |
| ইউনিট মূল্য (USD) | $6.25 | — |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| মেমরি সাইজ | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| ডেটা রেট | 3200 Mbps/pin | 2400 MT/s |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.2 V | 1.2 V |
| Access Time | 19 ns | — |
| ইন্টারফেস | Parallel | — |
| প্যাকেজ | 96FBGA | 96-ball FBGA |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0C to +85C | 0°C to +85°C |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | — |
| Memory Format | DRAM (volatile) | — |
| Technology | DDR4 SDRAM B-die | — |
| Prefetch | 8n | — |
| Refresh | Self-refresh supported | — |
| Termination | On-die termination (ODT) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] | — |
| MSL লেভেল | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Density | — | 8 Gb |
| সংগঠন | — | 512M x 16 |
| Lead-Free | — | Yes |
| হ্যালোজেন মুক্ত | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |