K4A8G165WB-BCWE vs H5AN8G6NAFR Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A8G165WB-BCWE tarafından Samsung Electronics ve H5AN8G6NAFR tarafından SK hynixAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ Aktif
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | K4A8G165WB-BCWE | H5AN8G6NAFR |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | SK hynix |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Stok Durumu | In Stock | — |
| Birim Fiyat (USD) | $6,25 | — |
| Bellek Türü | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Bellek Boyutu | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| Veri Hızı | 3200 Mbps/pin | 2400 MT/s |
| Besleme Gerilimi | 1.2 V | 1.2 V |
| Access Time | 19 ns | — |
| Arayüz | Parallel | — |
| Paket | 96FBGA | 96-ball FBGA |
| İşletim Sıcaklığı | 0C to +85C | 0°C to +85°C |
| Montaj Türü | Surface Mount | — |
| Memory Format | DRAM (volatile) | — |
| Technology | DDR4 SDRAM B-die | — |
| Prefetch | 8n | — |
| Refresh | Self-refresh supported | — |
| Termination | On-die termination (ODT) | — |
| RoHS Durumu | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] | — |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Organizasyon | — | 512M x 16 |
| Lead-Free | — | Yes |
| Klorürsüz | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |